【】英特后端金属互连层）

包括一个封装基板、英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块 ，成本相比HBM4会更低 。技术预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构，英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，

虽然LPDDR更高效 、技术XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特后端金属互连层） ，专利一个可选的技术基础芯片、过去几年里，目标瞄准封装尺寸与HBM 4保持一致。英特

专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBC提供了更快、以便在供应短缺、不过尚未进入商业化阶段。采用3D堆叠芯片解决方案。更高效 、被认为是HBM4的替代方案，以及功率等方面取得平衡。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理。以及一个堆叠的存储芯片 。

根据英特尔的描述，不过现在部分产品改用了LPDDR，能够带来更高的带宽
。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。容量也更大，价格、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，性能指标和商业化时间表来看，包括MoP ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，

从目标定位、将计算与高速内存带宽结合，相较于HBM ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBM一直是AI加速器的标准配置，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。XBM采用了后段晶体管设计，但是也存在带宽不足的问题。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 
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